ZnS和MgF 上传者：qq_82791 2021-02-09 21:07:33上传 PDF文件 5.71MB 热度 34次 用Ar离子辅助制备了ZnS和MgF2薄膜,依据滤光片吸潮波长漂移的测量,MgF2膜的聚集密度大约从未轰击时的0.8上升到轰击后的0.9~0.95,实验发现,高能离子轰击(>1keV),膜层的吸收散射损耗增加,而低能离子轰击(<700eV)可以保持优良的光学性质,并显著地增加膜层的牢固度,这对于温度敏感的基底制备耐久薄膜是一个重要的应用. 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
