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溴化铊半导体材料特性及其室温核辐射探测器研究进展

上传者: 2020-07-16 13:38:41上传 PDF文件 333.87KB 热度 14次
溴化铊半导体材料特性及其室温核辐射探测器研究进展,周东祥,郑志平,溴化铊材料具有原子序数高、禁带宽度大、密度大、结构简单、熔点低、易于熔融生长等特点,是室温X、γ射线探测器研究开发的重点材
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