论文研究 后CMOS纳米技术多数/少数逻辑电路合成方法的比较研究

互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的物理局限性促使许多研究人员考虑其他替代技术。 量子点蜂窝自动（QCA），单电子隧穿（SET），隧穿相位逻辑（TPL），自旋电子器件等是被认为可以替代CMOS的一些纳米技术。 在这些纳米技术中，用于实现电路的基本逻辑单元是多数和/或少数门。 已经提出了几种多数/少数逻辑电路综合方法。 在本文中，我们对能够合成多输入多输出布尔函数的现有多数/少数逻辑电路合成方法进行了比较研究。 将详细讨论这些方法中的每一种。 赋予不同因素（如门，电平，逆变器等）的优化优先级随技术而变化。 基于这些优化因素，比较了从不同合成方法获得的结果。 本文还分析了不同方法的优化能力，并讨