FeTaPt多层膜的磁粘滞研究

在800℃基底温度下,以单晶硅为基底,采用磁控溅射法制备了FeTaPt多层膜。通过XRD检测样品为单相,利用VSM测量了样品在双磁场下的磁化强度与时间的关系,并且利用磁滞Preisach模型得到材料的拟和参数。结果表明:在样品矫顽力附近出现了磁化强度随时间对数的线性变化,当磁场偏离矫顽力时,磁粘滞行为将偏离线性变化,这不仅与H1和H2有关,而且与H1、H2的差值有关,H1、H2差值越小,非线性衰减越明显。