紫外线辅助热处理改善多孔SiO2:F薄膜机械性能研究 上传者：zlm94540 2020-05-25 05:01:33上传 PDF文件 511.25KB 热度 14次 紫外线辅助热处理改善多孔SiO2:F薄膜机械性能研究，许金海，曹文磊，超大规模集成电路的集成度越来越高，Cu/低k材料系统的引入可以有效降低互连RC延迟问题。多孔SiO2:F薄膜具有许多优良性能，成为下一� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
