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论文研究180nm CMOS工艺下温度对SET的影响 .pdf

上传者: 2020-05-15 17:39:12上传 .PDF文件 409KB 热度 18次
180nmCMOS工艺下温度对SET的影响,梁斌,刘凡宇,基于3D混合模拟,研究了180nmCMOS工艺下了温度对SET脉冲的影响。研究发现,温度对数字SET有重要影响。使用60MeV?cm2/mg的LET,当温度从-55℃
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