GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4o异质外延的比较研究 上传者：守望dfdfdf 2020-05-05 20:05:05上传 PDF文件 378.54KB 热度 49次 GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究，冯建友，任晓敏，采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶向为（100）面无偏角和（100）面向[011]方向偏4º的Si衬底,并� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
