采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究 上传者：静默55688 2020-04-30 02:58:14上传 PDF文件 424.55KB 热度 16次 采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究，臧航，黄智晟，首先用1.5MeV的Si离子在常温下注入多晶化学气相沉积3C-SiC制备非晶SiC，注量为5E16cm-2，然后使用400keV的Cs离子在常温下注入多晶化学气相� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 静默55688 资源：447 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
