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源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响

上传者: 2020-03-17 14:26:31上传 PDF文件 471.91KB 热度 27次
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响,毛飞燕,邓宏,利用化学气相沉积(CVD)法,以Zn4(OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源,NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜,研究了样品的结构、光学、电学
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