论文研究基于硅带隙能量的1.2 V基准电压源设计 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2019-09-20 20:01:06上传 PDF文件 546.16KB 热度 43次 基于硅带隙能量的1.2V基准电压源设计，冯超，汪金辉，基于0.35µmCSMC(CentralSemiconductorManufacturingCorporation)工艺设计，并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片，可输出不随温度变化的高精度� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
