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论文研究基于硅带隙能量的1.2 V基准电压源设计 .pdf

上传者: 2019-09-20 20:01:06上传 PDF文件 546.16KB 热度 23次
基于硅带隙能量的1.2V基准电压源设计,冯超,汪金辉,基于0.35µmCSMC(CentralSemiconductorManufacturingCorporation)工艺设计,并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片,可输出不随温度变化的高精度�
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