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模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

上传者: 2020-12-07 00:35:14上传 PDF文件 82.62KB 热度 14次
0 引言 随着系统集成技术(SOC)的飞速发展,基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分,可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上,高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数,为此,本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙基准电压源的电路设计 1.1 基本原理 本设计利用晶体管基射结电压差△VBE的正温漂去补偿晶
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