论文研究Quasitwodimensional subthreshold voltage model for supradeepsubmicrometer MO
超深亚微米MOS晶体管阈值电压的准二维模型,申静,柯导明,本文提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。在这个模型里,对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势��
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