CMOS电路中的闩锁效应研究 上传者：lifeandc 2019-07-26 21:39:34上传 PDF文件 211.63KB 热度 85次 闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，给出了产生闩锁效应的必要条件，列举了闩锁效应的几种测试方法。最后，介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
