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CMOS电路中的闩锁效应研究

上传者: 2019-07-26 21:39:34上传 PDF文件 211.63KB 热度 67次
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
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