IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍

Name: IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍
Rating: 4.5 (60 reviews)
Author: qingyise

上传者：qingyise 2018-12-25 15:11:29上传 DOCX文件 133.11KB 热度 60次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍

IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍

大小：0B | 2018-12-25 15:11:29
IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用2.pdf.zip

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用2.pdf.zip

大小：0B | 2019-07-18 20:00:15
IGBT栅极特性与参数提取

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种电力电子装置中已得到了广泛的应用，但是长期以来对于其内部参数的提...

大小：0B | 2019-06-01 12:19:44
高K金属栅极和它的MOSFET特性

我们从高K-金属栅极的表面现象拓展实验验证、TiN膜厚的等离子体处理以及CMOS器件等方面来茶树高K...

大小：142KB | 2020-08-13 17:57:45
栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析

栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数,从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此,...

大小：144KB | 2020-10-28 06:40:48
对IGBT栅极驱动电路的要求

请问对IGBT的栅极驱动电路有何要求？答IGBT的静态、动态特性与栅极驱动条件密切相关。栅极的正偏电...

大小：348.2KB | 2024-09-07 22:34:18
查看更改WIN2K3和XP的SID

查看更改SID工具。包括whoami.exe、sysprep.exe和重新生成新的SID安全标识符三...

大小：0B | 2019-06-04 23:30:35
IGBT栅极驱动技术探讨

绝缘栅双极二级管(IGBT)作为一种可控开关,获得了广泛应用。IGBT的栅极驱动技术是其应用的一个重...

大小：0B | 2019-06-01 12:19:54
具有高K HfO2栅极电介质的ZnO MOS电容器的制备和特性

具有高K HfO2栅极电介质的ZnO MOS电容器的制备和特性

大小：646KB | 2021-04-20 01:14:40
使用栅极电阻控制IGBT的开关.pdf

使用栅极电阻控制IGBT的开关

大小：317KB | 2021-03-12 15:34:34
部分膜上的双栅极横向IGBT

提出了一种在局部膜上具有阴极和阳极栅极的新型SOILIGBT(横向绝缘栅双极晶体管)。当在阳极栅极上...

大小：1.26MB | 2021-04-24 10:01:28
IGBT的工作原理和工作特性.doc

IGBT的工作原理和工作特性doc,IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提...

大小：0B | 2020-02-26 23:16:27
xml的简要介绍

有关xml的介绍,简要介绍xml的基本内容

大小：367KB | 2021-05-03 13:24:35
dB的简要介绍

简要介绍dB各种单位的由来,及相互转换关系。

大小：136KB | 2020-08-09 00:00:19
PMP的简要介绍

PMP(Project Management Professional)指项目管理专业人士(人事)资...

大小：491KB | 2020-08-20 02:21:18
IGBT系统的介绍

IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成...

大小：553KB | 2020-12-13 06:27:32