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集成电路制造工艺原理

上传者: 2019-02-16 20:38:03上传 RAR文件 3.45MB 热度 31次
集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD-- ----4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入-8学时 第三章 光刻---------4学时 第四章 刻蚀---------2学时 第五章 金属化、封装与可靠性-2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程--2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺-4学时
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