A-T Coil Enhanced 8.5Gb/s High-Swing SST Transmitter Design with T-Coil Enhancement for Signal Integrity

8.5 Gb/s 的高摆幅 SST 发射器设计，用的是 65nm CMOS 工艺，挺适合搞高速传输的人研究一下。发射器用了个挺巧妙的思路——薄氧化层预驱动+厚氧化层输出级，不但信号摆幅大，电压兼容性也好。是加了T 型线圈增强，回波损耗直接干到 16 dB，蛮厉害的。

整个电路功耗控制得也不错，8.5 Gb/s 下才 96 mW，眼图还能拉到 1V+，蛮实用的。你要是搞多标准 I/O 或者高速 SerDes 那一挂的，这篇文章能给你不少灵感。是它集成了阻抗调节和去加重，对信号完整性要求高的项目还挺吃香。

不过要注意哦，它是基于IBM 苏黎世的 CMOS 技术做的，实验数据挺全，但你想商用的话，工艺适配还是要自己再调一下。

感兴趣的可以顺便看看这些扩展资料：

• CMOS 工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
• 预加重与去加重.doc
• 0.18μm CMOS 工艺下全摆幅恒跨导放大器设计
• 低压低功耗全摆幅 CMOS 运算放大器设计与仿真

如果你正在优化高速 I/O 发射器，或者对高摆幅 CMOS 电路感兴趣，可以拿这篇做个参考，里面不少细节能省你不少实验时间。