MH178微功率霍尔效应锁存器的数据手册

MH178霍尔效应锁存器是一种温度稳定、抗应力的小功率集成电路。优越的高温性能是通过一个动态抵消，利用斩波器稳定成为可能。该方法降低了通常由器件过模、温度依赖性和热应力引起的偏置电压。MH178在单个硅芯片上包括以下功能：电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、施密特触发器、开漏输出。先进的CMOS晶圆制造工艺被用来利用低电压要求、元件匹配、极低的输入偏移误差和较小的元件几何形状。该装置需要同时存在南北极性磁场才能运行。在存在足够强度的南极磁场时，设备输出传感器打开，并且仅在存在足够强度的北极磁场时关闭。MH178的额定工作环境温度为-40℃至+85℃，K温度范围为-40℃至125℃。对于E温度范围。这两种封装风格为大多数应用提供了磁性优化的解决方案。包SO是一个SOT-23，一个微型低剖面表面贴装包，而包UA是一个三引线超小型SIP-3通孔安装。封装类型为无铅无卤版本，已通过第三方实验室验证。