TTL CMOS PECL LVDS HCSL信号电平及阻抗匹配标准

3嵌入式闪存

3.1 闪存主要特性

• 高达64K字节闪存存储器

• 存储器结构：

• 主闪存模块：16K字（16K×32位）

• 信息模块：1K字（1K×32位）

闪存接口的特性为：

• 带预取缓冲器的读接口(每字为2×64位)

• 选择字节加载器

• 闪存编程/擦除操作

• 访问/写保护

• 低功耗模式

3.2 闪存功能描述

3.2.1 闪存结构

闪存空间由32位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按64页（每页1K字节）或16扇区（每扇区4K字节）分块，以扇区为单位设置写保护（参见存储保护相关内容）。

表3. Flash模块结构

Flash区 | Flash存储器地址 | 大小(字节) | 名称描述

-|-|-|-

主存储块 | 0x0800 0000 - 0x0800 03FF | 1K页0 | 扇区0

0x0800 0400 - 0x0800 07FF | 1K页1 |

0x0800 0800 - 0x0800 0BFF | 1K页2 |

0x0800 0C00 - 0x0800 0FFF | 1K页3 |

…… | 0x0800 7000 - 0x0800 73FF | 1K页60 | 扇区15

0x0800 7400 - 0x0800 77FF | 1K页61 |

0x0800 7800 - 0x0800 7BFF | 1K页62 |

0x0800 7C00 - 0x0800 7FFF | 1K页63 |

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