电子设备、仪器和元件行业：碳化硅衬底，新能源与5G的基石-20210221-长江证券-29页.pdf

碳化硅衬底、新能源与5G的基石碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。在新能源和5G领域，碳化硅材料将是未来碳化硅、氮化镓器件的重要基础。碳化硅材料的特性，包括宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等，使其在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作非常适合。 SiC功率器件替代空间广阔，迎新能源车增长趋势确立。SiC材料拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC基的SBD以及MOSFET更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，采用SiC器件可将电驱、电控等体积缩小化，满足功率密度更高、设计更紧凑的需求，同时也能使电动车续航里程更长。 SiC应用的关卡：SiC衬底的供应。SiC功率器件的成本是影响其市场推广的重要因素，而SiC衬底是致其成本较高的重要原因。SiC器件的制造成本中，SiC衬底成本约占总成本的47%，SiC外延的成本占比23%，这两大工序是SiC器件的重要组成部分。投资建议：为何在当前时点看好SiC衬底？一方面，全球SiC衬底、器件厂商对SiC市场预期积极，步调接近，显示供应商方面对前景充分看好，凸显行业上行趋势的强劲。另一方面，2020年全球新能源车销售量在新冠疫情影响出行的情况下实现了大幅增长，显示SiC下游市场需求或将迎来爆发期。 SiC技术的重要性在于其在新能源和5G领域的应用前景。碳化硅材料将是未来新能源、5G通信领域中碳化硅、氮化镓器件的重要基础。随着技术工艺的成熟、制备成本的下降，在新能源领域的应用持续渗透。SiC功率器件替代空间广阔，迎新能源车增长趋势确立。因此，我们建议关注前瞻布局SiC技术、具备相关经验积累、产能储备的优质企业，如三安光电。此外，碳化硅材料的供应商对SiC市场预期积极，步调接近，显示供应商方面对前景充分看好，凸显行业上行趋势的强劲。因此，我们建议投资者关注SiC行业的发展趋势，并关注优质企业的投资机会。碳化硅衬底、新的能源和5G的基石是当前最热门的投资主题之一。SiC技术的重要性在于其在新能源和5G领域的应用前景，而SiC衬底的供应是影响SiC市场推广的重要因素。因此，我们建议投资者关注SiC行业的发展趋势，并关注优质企业的投资机会。