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PMOS管驱动电路具有光耦隔离和快速关断特性

上传者: 2023-07-29 19:46:52上传 RAR文件 176.87KB 热度 10次

这个具有光耦隔离的PMOS驱动电路通过添加三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷,从而极大缩短MOS的关断时间。当MOS要关断时,Cgs寄生电容电压为电源电压,而三极管Q2的e极连接的是Cgs寄生电容的负极,且b极通过R10连接电源为高电平,因此三极管Q2导通。这时,Cgs寄生电容的电荷经过Q2---R4快速放电,并且经过R2进行放电,快速消耗Cgs寄生电容的电荷,从而减少MOS的关断时间,提高MOS的开关频率。

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