复旦大学模拟电路二级运放设计教程

本教程详细阐述了理论和晶体管级的推导，包括电路结构、静态特性、频率特性和相位补偿；同时分析共模输入范围、输出动态范围、单位增益带宽（GBW）、输入失调电压和系统失调电压概念；详细介绍MOS工作区域、过驱动电压对GBW的影响、约束分析等；此外，还介绍了使用spice和candence进行的仿真。文章摘选：为了权衡设计指标和具体应用，需要掌握四个设计参数CC、W1、L1和VGST1，其中GBW与管子的沟道宽度和过驱动电压成正比，而与CC和L成反比。在实际电路实现过程中，需要克服负载电容变化对零点和第二极点抵消的影响。