GaNFastTM功率IC概述

GaNFastTM功率IC 集成了高性能的eMode GaN FET与集成栅极驱动，实现了前所未有的高频和高效率运行，同时具有实时、准确感知电压、电流和温度的 GaNSenseTM技术以及短路和过温保护功能。自动待机模式提高了轻、小和空载效率。这些GaN ic结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动和行业标准的低外形、低电感、SMT QFN封装，使设计人员能够实现简单、快速和可靠的解决方案。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构的能力，以非常高的效率和低EMI达到MHz+频率，以非常有吸引力的成本结构实现前所未有的功率密度。