FM28V020推出V系列并口256Kb F RAM器件
模拟电路FM28V020推出V系列并口256Kb F-RAM器件世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。FM28V020与其它V系列F-RAM一样,具有较高的读写速度和较低的工作电压,其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V,并采用业界标准28脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中,作为需电池供电的SRAM的兼容替代产品。Ramtron市场拓展经理MikePeters称:“FM28V020相比现有256Kb并口存储器有多项性能提升,与目前广泛使用的FM18L08比较之下,FM28V020具有更快的访问速度和更短的读写周期,低至2V的工作电压则容许在更低的工作电流下工作,而且页面模式工作频率高达40MHz,是需电池供电的SRA M或NVSRAM的简便升级产品。”关于FM28V020FM28V020是配置为32K x8的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),读写操作与标准SRAM相似,能够在断电后保存数据,提供超过10年的数据保存能力,可消除需电池供电的SRAM(
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