IR推出150V和200V MOSFET具有极低的闸电荷

模拟电路IR推出150V和200V MOSFET具有极低的闸电荷国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列150V和200VHEXFET功率MOSFET,为开关模式电源(SMPS)、不断电系统(UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷(Qg)。与其它竞争器件相比,IR150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200VMOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“随着DC-DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200VMOSFET正好针对这个挑战做出了优化,所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度(MSL1)。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)指令。产品的基本规格:器件编号封装电压(V)Id(A)最大RDS(on)(mOhms)Qg(nC)IRFB4615PBF TO2201503