碳纳米管场发射显示器及其全印刷制造技术

针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT FED)制造技术中存在的工艺复杂、 成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备 CN T FED 器件内部包括各电极图形、 碳纳米管阵列、 荧光粉点阵和绝缘支撑层在内的所有结构 . 同现有的 CN T FED 制造技术相比,全印刷技术具有操作简单、 成本低廉的优点 .采用新技术制造了对角线为 14 cm 的可矩阵寻址的二极结构CNT FED,分辨率为 160&TImes;120 像素点阵 .该器件在 220 V 电压下可达到 1&TImes;104cd/m2的高亮度,工作电压降低到 200 V 以内,已经可以用现有等离子体显示屏的驱动集成电路来实现控制 .