mos驱动器与mos的匹配设计

mos驱动器与mos的匹配设计AN799MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计2.由于MOSFET驱动器吸收静态电流而产生的功作者：JamieDunn耗。MicrochipTechnologyInc.公式2：简介当今多种MOSFET技术和硅片制程并存，而且技术进PQ=(IQH×D+IQL×(1-D))×VDD步日新月异。要根据MOSFET的电压/电流或管芯尺寸，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进其中：行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。IQH=驱动器输入为高电平状态与任何设计决策一样，在为您设计中的MOSFET选择的静态电流合适的MOSFET驱动器时，需要考虑几个变量。需要D=开关波形的占空比去考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态IQL=驱动器输入为低电平状态电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影