同步整流升压电路中整流管的衬底电位控制

在同步整流DC-DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者一端.针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问题.

同当整流升压电路巾整流管的衬底电位控制曾子玉，邹雪城，孔令荣（华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉４３００７４）摘要：在同步整流ＤＣ―ＤＣ升压电路中，电路从启动到稳定的过程中，功率整流ＰＭＯＳ管的源端电位有时大于漏端电位，有时小于漏端电位，而ＰＭＯＳ管的衬底电位一般应接在源／漏电位中较大者一端。针对这个问题提出了两种解决方法，通过比较分析，采用相对简单的电路很好地解决了以上问题。关键词：同步整流升压电路衬底电位控制当今的电源管理芯片正朝着高集成度、低功耗、抗充电。电流的方向为ｙＩＮ―ｙ鲫一Ｉ，０Ｕｒ，显然有ｙＩＮ＞ｙ哪＞ｙＯＵｒ。干扰的方向发展。而能源短缺问题的日益加剧使节能和（２）正常开关工作阶段提高效率成为电源管理领域永恒的话题。同步整流技术在这个阶段，电路有两种工作状态：的出现极大地满足了高集成度、低功耗和高效率的设计①充电阶段：即Ｍ１导通、Ｍ２截止，ｙｚｗ通过Ｍｌ对电要求。所谓同步整流，是指用通态电阻极低的功率感Ｌ充电。电流的方向为ｙＩＮ―ｙｓＷ―ＧＮＤ，有ｙ娜＝０＜ｙｏＵｒ。ＭＯＳＦＥＴ取代肖特基整流二极管。这不仅提高了集成②放电阶段：即Ｍ１截止、Ｍ２导通，电感Ｌ