MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析
分析了金属2绝缘体2SiC (MISiC) 结构肖特基二极管(SBD) 气体传感器敏感机理,通过将热电子发射理论与隧道理论结合,建立了器件物理模型. 模拟结果表明,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关. 模拟结果与实验符合较好. 通过模拟,得到MISiC 结构最佳绝缘层(SiO2) 厚度应为1 nm 左右.
关 键 词: MISiC 气体传感器; 肖特基二极管; 模拟
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