在HCS08 微控制器上EEPROM

在HCS08微控制器上EEPROM在HCS08微控制器上使用FLASH存储器模拟EEPROM飞思卡尔半导体北京分公司师英(jerry.shi@freescale.com)在微控制器应用的很多场合，EEPROM被用来保存要求掉电仍然保持的数据，包括系统配置数据、过程数据、测量或运算结果等。虽然HCS08系列微控制器并不包含片上EEPROM，然而它所拥有的高性能FLASH存储器可以方便地实现数据存储功能。在本文中，提供了4个封装好的函数来实现EEPROM的模拟功能，屏蔽了复杂的底层操作，可以很方便地集成到应用程序中去。HCS08微控制器片上FLASH的性能HCS08的程序存储器为0.25um工艺FLASH，以512bytes为一个页组织。表1给出了HCS08片上FLASH存储器的大部分特性。特性表示符号最小值典型值最大值单位内部FCLK频率fFCLK150200kHz内部FCLK周期tFcyc56.67us字节编程时间（随机地址）tprog9tFcyc字节编程时间（突发模式）