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国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI

上传者: 2022-07-03 10:31:26上传 PDF文件 10.89 MB 热度 2次

EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片,内部组织为1024K字,每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造,以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择(/CS)输入进行操作,并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问

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