IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS静态RAM的数据手册

he/SS/IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，由5个12K字和16位组成。它是用ISS/Ts高性能CMOStechnology制造的。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在CS1高（取消选择）或CS2低（取消选择）或CS1低、CS2高以及HLB和UB都高的情况下，可产生高性能和低功耗的设备，该器件采用待机模式，在待机模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗，通过使用芯片使能和输出使能输入提供存储器扩展。主动低写使能（WE）控制存储器的写入和读取。Adatabyte允许上字节（UB）和下字节（LB）访问ls62wv51216allandS62wv51216bllare包JEDEC标准4针小型BGA（7）。2毫米8。7MM和44针TSOP