Sn掺杂ZnO纳米带中的浅施主电离能

通过结合温度相关的光致发光(PL)和第一性原理计算,研究了Sn掺杂的ZnO纳米带中Sn掺杂剂的电子给体状态和电子结构。在掺Sn的ZnO纳米带的低温PL光谱中观察到了强的和主要的供体结合激子((DX)-X-0)发射。 (DX)-X-0发射具有类似于12 meV的热活化能,并确定了相应的电离能类似于60 meV,这是由Sn掺杂剂的浅施主性质得出的。此外,随着温度升高,(DX)-X-0峰解离为神经供体样缺陷对复合物,并发生了带间跃迁。结果,室温下的近带边缘发射峰归因于带到带和自由到带的过渡的混合。此外,第一性原理电子结构计算表明,在ZnO中用Sn取代Zn的Sn是一个较浅的供体,与PL结果非常吻合。通过结合温度相关的光致发光(PL)和第一性原理计算,研究了Sn掺杂的ZnO纳米带中Sn掺杂剂的电子给体状态和电子结构。在掺Sn的ZnO纳米带的低温PL光谱中观察到了强的和主要的供体结合激子((DX)-X-0)发射。 (DX)-X-0发射具有类似于12 meV的热活化能,并确定了相应的电离能类似于60 meV,这是由Sn掺杂剂的浅施主性质得出的。此外,随着温度升高,(DX)-X-0峰解离为神经供体样缺