毫米波HEMT的半解析小信号参数提取方法
提出了一种在不同偏压条件下的高电子迁移率晶体管的半解析小信号参数提取方法。 基于测试结构确定焊盘电容和寄生电感,在小信号模型中使用半分析方法提取寄生电阻并提高寄生电阻的精度。 在多偏置条件下,在高达40 GHz的频率范围内,实测S参数与模拟参数之间的一致性非常好。
下载地址
用户评论
