1. 首页
  2. 数据库
  3. 其它
  4. 论文研究 CMOS IC DESIGN FOR RELIABILITY A REVIEW.pdf

论文研究 CMOS IC DESIGN FOR RELIABILITY A REVIEW.pdf

上传者: 2021-05-04 18:24:41上传 PDF文件 289.41KB 热度 8次
CMOS集成电路的稳定性设计,况维,,Negative bias temperature instability (NBTI), gate oxide breakdown (BD), and HCI (hot carrier injection) 对于 Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS)来说正在成为主�
下载地址
用户评论