依赖于温度的光致发光的高效InGaN / GaN纳米棒阵列

我们报告了具有高内部量子效率的InGaN / GaN多量子阱(MQW)纳米棒阵列的光致发光特性。 通过在c面蓝宝石衬底上进行有机金属化学气相沉积来生长InGaN / GaN MQW,然后通过电感耦合等离子体刻蚀与自组装Ni纳米颗粒掩模的低损伤刻蚀技术制造MQW纳米棒阵列。 纳米棒的典型直径为200nm至300nm,长度约为800nm,几乎没有位错。 与室温下的MQW结构相比,MQW纳米棒阵列在室温下的总集成光致发光强度提高了3.1倍。 根据与温度有关的光致发光测量,纳米棒结构的内部量子效率为59.2%,即已生长的MQW结构(33.8%)的1.75倍。 因此,具有显着减少缺陷的纳米棒结构可以成为高效发光器件的非常有前途的候选者。