1. 首页
  2. 数据库
  3. 其它
  4. Analytical Modeling of 4H SiC MESFET for High Power and High Frequency Response:

Analytical Modeling of 4H SiC MESFET for High Power and High Frequency Response:

上传者: 2021-04-30 10:36:35上传 ZIP文件 9.23KB 热度 21次
高功率和高频响应的4H-SiC-MESFET的分析建模 这是对4H-SIC(碳化硅)MESFETS的分析模型的仿真。 考虑到不同的制造参数(例如离子剂量,离子能量,离子范围和退火效应参数),已开发出该模型以获取阈值电压,漏极-源极电流,固有参数(如栅极电容,漏极-源极电阻和跨导)
下载地址
用户评论