具有超快响应的MoS2纳米片光电探测器

二维分层材料(例如二硫化钼)由于其独特的电子特性和原子薄的几何形状而成为未来电子学的令人兴奋的材料系统。 在这项工作中,基于MoS2的FET是使用机械分裂,标准光刻和金属蒸发技术制造的,并且探测器具有良好的欧姆接触。 我们表明,多层二硫化钼光电探测器具有快速的光响应,短至42 ls。 与单层MoS2相比,快速的光电探测器响应是由于MoS2薄片中陷阱态的减少,使其光响应时间接近其固有响应。大的光电流具有59 A / W的响应度和外部量子效率。还测量了532 nm波长的13 800%。 这些设备的快速响应时间,高响应度和易于制造使其成为未来光电设备的重要组件。