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用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸

上传者: 2021-04-25 15:58:35上传 PDF文件 758.18KB 热度 16次
用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc-GeSiO2)。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱,其结果与晶体Ge的拉曼谱相比,纳米Ge的拉曼峰位红移峰形变宽;用拉曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得结果与声子限域理论模型符合。
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