单线裂变并五苯二极管的陷阱诱导光电导

本文报道了使用电流电压在ITO /并五苯/ Al二极管中由陷阱引起的光电导性和磁导测量。光电导率之间的比较带有和不带有陷阱的并五苯二极管清楚地表明,陷阱在产生中起着至关重要的作用光电导性。它表明未检测到无陷阱并五苯的可观察到的光电导性二极管,而在带有陷阱的二极管中观察到了显着的光电导性。这是因为最初并五苯中的光生单重态激子可以Swift分裂成具有更高结合力的三重态激子分解成自由电荷载流子之前的能量。产生的三重态激子与被困电荷从陷阱中释放出载流子,从而导致陷阱中的光电导单层并五苯二极管。我们的研究阐明了光电导的形成机理具有极高的单线态裂变速率的并五苯二极管中