用有机金属化学汽相淀积法制成半导体激光器 上传者：game42771 2021-04-24 13:46:06上传 PDF文件 1.14MB 热度 28次 日本古河电工借助于有机金属化学汽相淀积(MOCVD)法最近研制成日本首批砷化镓埋入式半导体激光器。用MOCVD法制作半导体激光器,与一般使用的液相生长法相比,具有优越的膜厚控制性能,可制成均质、表面缺陷少的结晶薄膜,此外,可使用面积较以往大得多的薄膜,能大幅度降低成本。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
