基于IGBT技术实现反并联二极管的正确设计

引言 反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力 终将构成一种三角关系。 由于在当前的二极管技术条件下,二极管芯片本身的尺寸已经被削减至很小,所以二极管设计师再次将目光投向电气性能(忽略成本因素)。本文将聚焦驱动应用中的二极管,进行利弊分析与思考。对于所有应用来说,所考虑的基本点是一样的:应该使用静态损耗较低的二极管,还是考虑整个系统(包括IGBT)性能而使用静态损耗稍高但开关损耗较低的二极管。 二极管优化 二极管的反向恢复电荷Qrr与正向压降Vf的关系曲线可以表示出二极管的