电荷耦合器件硅基底辐照光场研究

对电荷耦合器件(CCD)硅基底的光照能量分布进行了建模分析和实验研究。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜获取了CCD的关键光学参数, 即微透镜表面函数和二氧化硅增厚层厚度。模拟了垂直入射平面光在硅基底表面的能量分布, 并与飞秒激光辐照损伤CCD的实验图像进行了比对, 二者吻合良好。研究结果表明, 微透镜与二氧化硅增厚层的共同作用使得激光能量几乎完全辐照在感光区, 激光能量呈哑铃形分布。