芯片表面上极性冷分子的静电囚禁 上传者:whd29781 2021-04-22 07:26:53上传 PDF文件 2.19MB 热度 8次 提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖关系,并研究了过囚禁中心在x和z方向的电场强度和其对应的CO分子的Stark囚禁势与几何参数之间的关系。研究表明,对于CO分子,该方案的有效势阱深度可达130 mK,这足以囚禁温度约为50 mK处于弱场搜寻态的极性冷分子。显然,这样的静电表面势阱在分子光学和分子芯片、量子光学、量子计算和量子信息处理等领域中都有重要的应用。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 whd29781 资源:440 粉丝:0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台,下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容!联系邮箱:server@dude6.com