锗硅硅杂化片的半金属铁磁性设计

在这项理论工作中,我们进行第一性原理计算,以研究被溴原子(Br)饱和的二维锗烯和硅烯杂化片(GeSiHS)的几何,电子和磁性。 尽管原始的GeSiHS是半金属的,但仅在具有Br的Si原子的单侧半饱和会导致不饱和Ge原子中的局部电子和不成对电子,从而显示居里温度较高的长距离铁磁(FM)特性。 有趣的是,半溴化GeSiHS表现出半金属特性,在费米能级具有100%的自旋极化电流。 这些发现为GeSiHS作为自旋电子器件的有前途的构建基块提供了可能性。