ΖnΟ单晶在300 K下的闪流放电受激辐射

半导体中的闪流放电是激光器泵浦的一种有前途的方法。目前在闪流激发下在一系列化合物A2B6(CdS,CdSxSe1-x,CdSe,ZnSe)和A3B5(GaAs,InP)在950~450 nm光谱区中观察到振荡。在Τ=300 K下具有宽禁带E=3.2 eV的氧化锌ΖnΟ是在紫光谱和紫外光谱获得闪流辐射有前途的材料。本文报道在室温下在ΖnΟ单晶中沿闪流放电通道获得受激辐射和振荡。