零基础教你学习齐纳二极管稳压器及其仿真

齐纳二极管在正向偏置时的行为类似于具有 PN 结的普通硅二极管,允许电流从阳极流向阴极。但在反向偏置时,齐纳二极管不同于普通二极管阻止电流流动,而是在达到一定反向电压阈值时,开始导通,允许反向电流流过。 当施加到齐纳二极管的反向电压超过其典型极限阈值时,在半导体耗尽区会发生称为雪崩击穿的过程,随后二极管会产生电流来限制电压的升高。在此过程中,电荷通过自由电子与相邻原子的碰撞而产生,并因此产生热量,有可能对器件造成不可逆转的损坏。 但是,如果二极管的耗尽区非常薄且高掺杂,则可能由于结中产生的高强度电场而生成反向电流。这个过程称为齐纳击穿(如图 1 所示),它是可逆的,而且不会损坏二极管。图中