垂直高斯分布的全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值电流模型

本文提出了具有垂直高斯分布的全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值电流。 该模型基于二维Poissons方程和Boltzmann输运方程的解析近似解。 使用新颖的反型层模型和考虑了非均匀掺杂的边界条件,可以有效地推导出前沟道电流和后沟道电流。 结果与Sentaurus Technology计算机辅助设计(TCAD)获得的数值模拟结果非常吻合。 据信,该模型可提供深物理洞察力和对FD-SOI MOSFET的深刻理解,并具有在亚阈值范围内工作的非均匀掺杂分布。