真空度对VO

对不同真空度下得到的VO2(B)型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析,以探讨退火真空度对VO2(B)型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度高于99.99%,质量分数)为原料,采用真空蒸发——还原工艺,分别在高、低真空度下还原出VO2(B)型(空间群为C2/m)薄膜。利用X射线衍射(XRD)仪,X射线光电子能谱仪(XPS),电阻温度关系(TCR)测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试,讨论了退火真空度对VO2(B)型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质的影响。结果显示,在高、低真空度下退火,VO2(B)型薄膜出现的温度范围是不同的,在低真空度下退火出现的范围在400~480 °C,而在高真空度下退火出现的范围只有400~440 °C; 高真空度退火得到薄膜的晶粒较大,透过率较低真空度得到的薄膜高7%~8%; 但在低真空度下退火,薄膜中的V更易被还原,电阻温度系数绝对值更大,最大可达-2.4%/K。