CdSe量子点敏化的TiO2太阳能电池的沉积电压研究

摘要:用钛在Ti(Ti)衬底上制备了TiO2纳米晶半导体薄膜。 水热法,然后在TiO2表面制备CdSe量子点层纳米晶半导体膜的电化学沉积方法。 我们研究了CdSe量子点生长的沉积电压,发现当沉积电压为-1.3V,CdSe量子点生长最好。但是,以CdSe / TiO2作为光阳极,使用电力化学工作站进行测试,我们获得了短路电流密度为1.45×10-3A·cm-2且开路电压为0.24 V.