Mosfet inside
近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本 文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds(on)方面的技术发展, 下篇着重于降低优值FOM 方面的技术发展。
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